DQZHAN技術(shù)訊：下一代同步整流控制技術(shù)增強電源運行參數(shù)
在當今的高性能的電源系統(tǒng)設(shè)計中，確?？煽啃灾陵P(guān)重要，因此高效的功能必須可以處理潛在的問題。同步整流電流反向就是這樣一個問題。這發(fā)生在電容電流（寄生效應(yīng)引起的）導致MOSFET在輕負載的情況下被過早激活時– 然后反向電流從輸出電容流回同步整流器。這不僅導致系統(tǒng)能效受到嚴重影響，還可能會導致運行故障。
為了防止這種情況的發(fā)生，必須在系統(tǒng)處于輕載條件時采取措施增加延遲。自適應(yīng)死區(qū)時間控制機制可以彌補寄生電感的存在，從而減輕體二極管導通的**影響。通過這種方法，可以調(diào)整同步整流器關(guān)斷點，以保持一個恒定的死區(qū)時間，而不受當時輸出負載的影響。從而持續(xù)保持高能效和對相應(yīng)的熱管理規(guī)定更少的要求（由于散熱的減少）。
得益于專有的自適應(yīng)死區(qū)時間控制算法，安森美半導體的FAN6248雙MOSFET驅(qū)動器控制器IC，能夠充分解決上述挑戰(zhàn)。同時，它可以幫助工程師*大化電源能效，并使系統(tǒng)盡可能緊湊、簡單和具性價比。
該器件優(yōu)化用于現(xiàn)代LLC諧振轉(zhuǎn)換器拓撲結(jié)構(gòu)，*大限度地減少同步整流MOSFET的體二極管傳導。它通過使用一個獨特的控制方法，消除了電流反向的隱患，還可以避免同步整流誤觸發(fā)。通過兩個感測輸入，可以準確地確定MOSFET兩端的漏源電壓，從而考慮到關(guān)于次級繞組的任何不對稱或**耦合。如果經(jīng)證實死區(qū)時間太長，那么偏置電壓相應(yīng)降低。從而提高MOSFET的電壓閾值，繼而使同步整流器的導通時間延長（因此縮短相關(guān)的死區(qū)時間）。反之，如果死區(qū)時間太短，則降低MOSFET的電壓閾值，從而抑制同步整流器的導通期。指定FAN6248控制器能夠提高系統(tǒng)的電源能效，和實現(xiàn)在整個負載范圍內(nèi)的穩(wěn)定運行（無電流反向的風險）。
